IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高頻率，高電壓，大電流，易于開關等優良性能。在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

下面為IGBT 電性能參數提供的測試方案，適用于 IGBT 模塊器件選型認可及產品開發過程中 IGBT 模塊單體性能測試。

集-射極耐壓(VCES)測試

在室溫（25℃±2℃）環境下，將待測的IGBT柵-射極短路。集電極電源峰值功率選擇設為 30W。測量方法選擇的測量方式設為重復模62式。點擊開始測試，將集電極電源掃描調節設為合適檔位，一般開始可設為額定 VCES 的 1/10 左右，緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。電壓接近器件額定 VCES時，將集電極電源的掃描調節為額定VCES的1/100左右，繼續增加集電極掃描電壓，調節過程中注意觀察曲線，當電流達到器件的額定ICES時，停止增加電壓，讀取此時的電壓，此電壓即為IGBT的實際集-射極耐壓，測試所得 VCES 電壓≥額定VCES電壓。

測試設備：

RU-150-100150為RU系列可編程直流電源，內置函數發生器、LIST功能等，3U/15KW單機最大可達 1500V/500A,具有遠端補償功能，補償線上壓降，具有操作簡單、體積小、效率高的特性。

VL為可編程電子負載，內置LIST功能，可工作在CC/CV/CR/CP等工作模式，功率范圍從1.2KW-100KW,并支持并機擴展，具有遠端量測的功能、電池測試功能、自動測試功能等。

隨著工業的發展，我國成為全球最大的功率半導體消費市場，根據IC Insights最新的數據，2021年全球半導體IC市場總銷售額達到了5098億美元，相比2020年增長了25%，預計2022年半導體總銷售額將增長11%，將會達到創紀錄的5651億美元。數據顯示2022年全球半導體市場的增速，與2021年相比將會放緩，但仍然會高于平均水平。

未來一段時期仍將會是最大的消費市場，市場潛力巨大。但IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發、制造、應用是衡量一個國家科技創新和高端制造業水平的重要標志。

在新能源汽車中，最有提升空間的當屬電機驅動部分，而電機驅動部分最核心的元件IGBT。從成本來說，IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，并且決定了整車的能源效率。為了獲得更高的耐壓，更大的電流和高可靠性，通常會將多個 IGBT 器件級聯成模塊來使用，價格也更加昂貴。

因此國內的IGBT生產廠家將逐漸擴大，比如比亞迪、中車等，都已成功自主研發生產IGBT模塊，且大批量投入使用。因此IGBT的研發、測試、使用等都需要嚴格把控數據，以防質量不過關造成整體產品的損壞進而召回等，進而影響公司運營。